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分散是至少兩種互不相溶或者難以相溶且不發生化學反應的物質的混合過程。工業分散的目標是在連續相中實現“令人滿意的”精細分布。
原位聚合法,顧名思義,就是把反應單體填充到納米層狀物的層間,讓其在層間發生聚合反應
原位聚合法原理原位聚合是一種把反應性單體(或其可溶性預聚體)與催化劑全部加入分散相(或連續相)中,芯材物質為分散相。由于單體(或預聚體)在單一相中是可溶的,而其聚合物在整個體系中是不可溶的,所以聚合反應在分散相芯材上發生。反應開始,單體預聚,預聚體聚合,當預聚體聚合尺寸逐步增大后,沉積在芯材物質的表面
如納米二氧化硅 即在位分散聚合,該法是應用在位填充技術,將納米SiO2在單體中分散均勻后,再進行聚合反應,原位聚合法的特點是既能使納米SiO2粒子均勻分在聚合物中,又保持了粒子的納米屬性,而且原位聚合法通常是一次聚合成型,無需進一步熱加工,因此避免了熱加工帶來降解的影響,保證了納米SiO2-聚合物基體的各種性能的穩定。
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SGN原位聚合法高速分散機,納米材料原位聚合法高速分散機分散效果
影響分散乳化結果的因素有以下幾點:
1 分散頭的形式(批次式和連續式)(連續式比批次好)
2 分散頭的剪切速率 (越大,效果越好)
3 分散頭的齒形結構(分為初齒,中齒,細齒,超細齒,約細齒效果越好)
4 物料在分散墻體的停留時間,乳化分散時間(可以看作同等的電機,流量越小,效果越好)
5 循環次數(越多,效果越好,到設備的期限,就不能再好)
線速度的計算
剪切速率的定義是兩表面之間液體層的相對速率。
– 剪切速率 (s-1) = v 速率 (m/s)
g 定-轉子 間距 (m)
由上可知,剪切速率取決于以下因素:
– 轉子的線速率
– 在這種請況下兩表面間的距離為轉子-定子 間距。
SGN定-轉子的間距范圍為 0.2 ~ 0.4 mm
速率V= 3.14 X D(轉子直徑)X 轉速 RPM / 60
高的轉速和剪切率對于獲得超細微懸浮液是zui重要的。根據一些行業特殊要求上海SGN/思峻公司在GR2000系列的基礎上又開發出GRS2000高速剪切乳化機機。其剪切速率可以超過100.00 rpm,轉子的速度可以達到40m/s。在該速度范圍內,由剪切力所造成的湍流結合專門研制的電機可以使粒徑范圍小到納米級。剪切力更強,乳液的粒經分布更窄。由于能量密度高,無需其他輔助分散設備,(價格電議,,公司有樣機可實驗!)
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2、設備特點
⑴ GRS設備與傳統設備相比:
高效、節能
傳統設備需8小時的分散加工過程,GRS設備1小時左右完成,超細分散*,能耗降低;
高速、高品質
傳統設備的攪拌轉速每分鐘幾十轉,帶分散功能的轉速每分鐘1500轉以內,只完成宏觀分散加工,超細分散能力有限;GRS設備的轉速每分鐘10000~15000轉之間,高線速度產生的剪切力,瞬間超細分散漿料中的粉體。
⑵GRS設備與同類設備相比:
多層多向剪切分散
同類設備的定轉子等部件結構單一,多級多層的結構是單純重復性加工,相同的齒槽結構易發生物料未經分散便通過工作腔的短路現象;
GRS設備的定轉子結構采用多層多向剪切概念,裝配式結構使物料得到不同方向剪切分散,杜絕了短路現象,超細分散更為*。
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